RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
60
Autour de -161% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
23
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
3116
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link