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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB

Note globale
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Note globale
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB

Différences Spécifications Commentaires

Différences

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 4
    Valeur moyenne dans les tests
SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB Raisons de considérer
SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB
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  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    64 left arrow 65
    Autour de -2% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    2,793.8 left arrow 2,784.6
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latence dans PassMark, ns
    65 left arrow 64
  • Vitesse de lecture, GB/s
    4,806.8 left arrow 4,498.0
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2,784.6 left arrow 2,793.8
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    932 left arrow 786

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