Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 4
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    64 left arrow 65
    Около -2% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    2,793.8 left arrow 2,784.6
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    65 left arrow 64
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,806.8 left arrow 4,498.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,784.6 left arrow 2,793.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 6400
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    932 left arrow 786
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения