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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB

Puntuación global
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Puntuación global
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 4
    Valor medio en las pruebas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    64 left arrow 65
    En -2% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    2,793.8 left arrow 2,784.6
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latencia en PassMark, ns
    65 left arrow 64
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,806.8 left arrow 4,498.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    2,784.6 left arrow 2,793.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    932 left arrow 786

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