RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
77
Autour de -221% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2332
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link