RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
77
Rund um -221% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
11.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2332
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link