RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
65
77
Autour de -18% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
65
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
1798
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
SK Hynix HYMP351F72AMP4N3Y5 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link