RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
77
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
65
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1798
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link