RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
15.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
77
Autour de -175% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
12.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3152
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link