RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
15.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
77
Около -175% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
12.9
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3152
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link