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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
15.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
77
左右 -175% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
28
读取速度,GB/s
3,405.2
12.9
写入速度,GB/s
2,622.0
15.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3152
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
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