RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
77
Autour de -166% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3714
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link