RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3714
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link