RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
72
77
Autour de -7% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
72
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
1728
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM3X2G1600C9DHX 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link