RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
72
77
Por volta de -7% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
2,622.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
72
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
8.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
1728
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link