RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
77
Autour de -114% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
36
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3001
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link