RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
11.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
77
En -114% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
36
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3001
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link