RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
11.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
77
Por volta de -114% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
36
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
11.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3001
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link