RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
77
Autour de -267% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
21
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3211
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston FQ453-80003 1GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link