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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
77
Rund um -267% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3211
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
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