RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Good Wealth Technology Ltd. 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
77
Около -267% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
21
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
18.1
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3211
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link