RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
77
Autour de -120% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
35
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2713
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link