RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
77
Около -120% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
15.4
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2713
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link