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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
77
左右 -120% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
35
读取速度,GB/s
3,405.2
15.4
写入速度,GB/s
2,622.0
11.3
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2713
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905599-025.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
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