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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
77
Autour de -185% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2373
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
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Absolute Latency
0 ns
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