RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
77
Wokół strony -185% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2373
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link