Comparaison de la RAM Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Note globale

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

26 36

Autour de -38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

15.6 15

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

11.8 10.3

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 17000

Autour de 1.13 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2569 2382

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns