Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

総合得点

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

考慮すべき理由
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

26 36

周辺 -38% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

15.6 15

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

11.8 10.3

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 17000

周辺 1.13 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

36 26
読み出し速度、GB/s

15.0 15.6
書き込み速度、GB/秒

10.3 11.8
メモリ帯域幅、mbps

17000 19200

Other

商品説明

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2569 2382

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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