Porównanie pamięci RAM Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Wynik ogólny

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

26 36

Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

15.6 15

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

11.8 10.3

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 17000

Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2569 2382

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns