RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
36
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
26
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
10.3
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
2382
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link