RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
33
Autour de -43% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.4
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
20.1
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
23
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
22.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
20.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
4421
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link