RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
33
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.4
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.1
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
23
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
22.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
20.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
4421
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link