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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
33
Autour de -6% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
31
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
11.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
2585
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
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Kingston 9905625-096.A00G 16GB
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Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
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