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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Comparez
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Note globale
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Note globale
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
31
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2269
3403
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
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