RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
59
Autour de 37% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
59
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
1954
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link