RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
59
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
13.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
59
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
17.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
1954
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link