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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
59
En 37% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
59
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
1954
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
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Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
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