RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
25
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2909
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link