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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razões a considerar
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
28
Por volta de -12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
25
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
11.9
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2909
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
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Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
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