RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
16.2
Скорость записи, Гб/сек
7.5
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2909
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link