Comparaison de la RAM Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Note globale

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

28 34

Autour de 18% latence réduite

Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

17.3 12.7

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

14.5 7.5

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 8500

Autour de 2 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1066 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1988 3606

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns