RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
34
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
34
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
17.3
Скорость записи, Гб/сек
7.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3606
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Elpida EBJ20UF8BDW0-GN-F 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link