Comparação RAM Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Pontuação geral

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

28 34

Por volta de 18% menor latência

Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

17.3 12.7

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

14.5 7.5

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

17000 8500

Por volta de 2 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1066 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1988 3606

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns