RAM-Vergleich Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Gesamtnote

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

28 34

Rund um 18% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

17.3 12.7

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

14.5 7.5

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 8500

Rund um 2 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1066 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1988 3606

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns