RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
30
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3606
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link