RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.7
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
17.7
Скорость записи, Гб/сек
7.5
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3606
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link