RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
38
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
35
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
14.8
Скорость записи, Гб/сек
9.4
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2511
2336
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB Сравнения RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link