RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
37
Autour de 5% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
14
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
37
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
2277
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link