Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

总分
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

总分
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    35 left arrow 37
    左右 5% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    14.4 left arrow 14
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    9.7 left arrow 9.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    35 left arrow 37
  • 读取速度,GB/s
    14.4 left arrow 14.0
  • 写入速度,GB/s
    9.5 left arrow 9.7
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2321 left arrow 2277
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较