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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

総合得点
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

総合得点
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 37
    周辺 5% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.4 left arrow 14
    テスト平均値
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.7 left arrow 9.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    14.4 left arrow 14.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 9.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2321 left arrow 2277

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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
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メモリRAM
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
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メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
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メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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